I. Inländische Kerntechnologie und Durchbrüche in der Massenproduktion
1. Silizium-Graphen-Germanium-Transistor (Kerngerät für Terahertz und 6G)
Entwickler: Institut für Metallforschung, Chinesische Akademie der Wissenschaften
Wichtige Spezifikationen: Die gemessene Grenzfrequenz erreicht 132 GHz mit einer Stromverstärkung von 1,8×10⁷; Theoretisch ist es in der Lage, das 1-THz-Terahertz-Band abzudecken, und belegt unter ähnlichen Geräten weltweit den ersten Platz.
Bedeutung: China übernimmt weltweit die Führung bei HF-Geräten auf Basis zweidimensionaler Materialien und legt solide Hardware-Grundlagen für 6G, Terahertz-Kommunikation, High-End-Radar und Satelliten-Boden-Konnektivität.
2. Siliziumbasierte GaN-HF-Chips für Verbraucherterminals
Entwickler: CETC 55 Forschungsinstitut / Guobo Electronics
Eckdaten: Insgesamt über 5 Millionen Chips ausgeliefert; das weltweit erste Galliumnitridprodukt auf Siliziumbasis, das speziell für intelligente Verbraucherterminals entwickelt wurde.
Bedeutung: Technische Engpässe bei der Kompatibilität von Niederspannungsklemmen wurden behoben. Die Chips ersetzen nach und nach herkömmliche Galliumarsenid-Komponenten und ermöglichen eine vollständige unabhängige Steuerung von HF-Frontends für Mobiltelefone und andere Verbrauchergeräte, wodurch Monopole ausländischer Hersteller gebrochen werden. Dies unterstützt nachdrücklich die groß angelegte Kommerzialisierung von Satelliten-Direkt-zu-Mobiltelefondiensten, die Wirtschaft in geringer Höhe und 5G-Advanced.
II. Höhepunkte der Internationalen Ausstellung – IMS 2026 (Boston, 7.–12. Juni)
- Kerntechnologiethemen: Integration von KI, Quantentechnik, 6G, Millimeterwelle, Terahertz und Satellitenkommunikation
- Neue Produkte und Lösungen von wichtigen Herstellern
- Keysight: HF-Signalanalysatoren der neuen Generation zur Steigerung der F&E- und Testeffizienz für 5G- und 6G-Breitbandsysteme
- Qorvo: Demonstrierte Beamforming-Module, Millimeterwellen-Leistungsverstärker und IoT-RF-Lösungen für Satelliten- und Mobilkommunikationsmärkte
- Sonix: Miniaturisierte 30-GHz-Millimeterwellen-HF-Filter, optimiert für 5G-Advanced-, 6G- und Satellitenkommunikationsszenarien
III. Allgemeine Branchenentwicklungstrends
- Materialaufwertung: Materialien mit großer Bandlücke, darunter GaN und Graphen auf Silizium- und SiC-Basis, werden häufig als Ersatz für Galliumarsenid eingesetzt und sorgen für ein Gleichgewicht zwischen hoher Frequenz, hoher Leistung und niedrigen Kosten.
- Frequenzbandentwicklung: Die Kommunikationsfrequenzbänder verschieben sich immer weiter nach oben, von 5G-Advanced zu 6G und Terahertz, was HF-Geräte in Richtung Miniaturisierung und geringer Einfügungsdämpfung treibt.
- Inländische Substitution: HF-Technologien breiten sich von Basisstationen und militärischen Anwendungen bis hin zu Unterhaltungselektronik wie Mobiltelefonen aus. Vollständige Industrieketten einschließlich Leistungsverstärkern, Filtern und Schaltern beschleunigen die lokale unabhängige Produktion.
- Multi-Technologie-Integration: KI- und Digital-Twin-Technologien werden in RF-Design-, EDA-Entwicklungs- und Test-Workflows eingebettet, wodurch Forschungs- und Entwicklungszyklen drastisch verkürzt und Produktionskosten gesenkt werden.
IV. Follow-up-Schwerpunktbereiche
- Fortschritte bei der Kommerzialisierung und Marktdurchdringung inländischer neuartiger Hochfrequenztransistoren und siliziumbasierter GaN-Chips
- Iterations- und Massenproduktionsplan von HF-Komponenten, die 5G-Advanced- und 6G-Industrieketten unterstützen
- Schwankungen der Marktnachfrage nach Millimeterwellen- und Satellitenkommunikations-HF-Produkten