I. 国産コア技術と量産化のブレークスルー
1. シリコン・グラフェン・ゲルマニウム・トランジスタ（テラヘルツ＆6Gのコアデバイス）
開発者: 中国科学院金属研究所
主な仕様: 測定されたカットオフ周波数は 1.8×10⁷ の電流ゲインで 132 GHz に達します。理論的には 1 THz テラヘルツ帯域をカバーでき、同様のデバイスの中で世界トップにランクされます。
重要性: 中国は二次元材料に基づく RF デバイスで世界をリードしており、6G、テラヘルツ通信、ハイエンドレーダー、衛星と地上の接続のための強固なハードウェア基盤を築いています。
2. 民生端末向けシリコンベースGaN RFチップ
開発者: CETC 55 研究所 / Guobo Electronics
重要なデータ: 合計 500 万個を超えるチップが納品されました。消費者向けスマート端末向けにカスタマイズされた世界初のシリコンベースの窒化ガリウム製品。
重要性: 低電圧端子の互換性に関する技術的なボトルネックが解決されました。このチップは従来のガリウムヒ素コンポーネントを徐々に置き換え、携帯電話やその他の消費者向けデバイスのRFフロントエンドの完全な独立制御を実現し、海外メーカーによる独占を打破します。これは、衛星から携帯電話への直接通信サービス、低高度経済、および 5G アドバンスの大規模商業化を強力にサポートします。
II.国際展示会のハイライト – IMS 2026 (ボストン、6 月 7 ～ 12 日)
- コア技術テーマ：AI、量子工学、6G、ミリ波、テラヘルツ、衛星通信の融合
- 主要メーカーの新製品とソリューション
- Keysight: 5Gおよび6G広帯域システムの研究開発とテストの効率を高める新世代RF信号アナライザ
- Qorvo: 衛星およびモバイル通信市場をターゲットとしたビームフォーミングモジュール、ミリ波パワーアンプ、IoT RF ソリューションの実証
- Sonix: 5G-Advanced、6G、衛星通信シナリオ向けに最適化された小型 30 GHz ミリ波 RF フィルター
Ⅲ．業界全体の発展傾向
- 材料のアップグレード: シリコンベースおよび SiC ベースの GaN やグラフェンなどのワイドバンドギャップ材料がガリウムヒ素の代替として広く採用され、高周波、高出力、低コストのバランスをとります。
- 周波数帯域の進化: 通信周波数帯域は 5G-Advanced から 6G およびテラヘルツへと上向きにシフトし続けており、RF デバイスは小型化と低挿入損失に向けて推進されています。
- 国内での代替: RF テクノロジーは、基地局や軍事用途から携帯電話などの家庭用電化製品まで拡大しています。パワーアンプ、フィルター、スイッチを含む完全な産業チェーンにより、ローカルでの独立した生産が加速されます。
- マルチテクノロジーの統合: AI およびデジタル ツイン テクノロジーが RF 設計、EDA 開発およびテストのワークフローに組み込まれており、研究開発サイクルを大幅に短縮し、生産コストを削減します。
IV.フォローアップの重点分野
- 国内新規高周波トランジスタとシリコンベースGaNチップの商品化進捗と市場浸透
- 5G-Advancedおよび6G産業チェーンをサポートするRFコンポーネントの反復および量産スケジュール
- ミリ波・衛星通信用RF製品の市場需要の変動