I. Teknologi Teras Domestik & Penembusan Pengeluaran Besar-besaran
1. Transistor Silicon-Grapene-Germanium (Peranti Teras untuk Terahertz & 6G)
Pemaju: Institut Penyelidikan Logam, Akademi Sains China
Spesifikasi Utama: Kekerapan pemotongan yang diukur mencapai 132 GHz dengan keuntungan semasa 1.8×10⁷; secara teorinya mampu meliputi jalur terahertz 1 THz, menduduki tempat teratas di peringkat global antara peranti serupa.
Kepentingan: China menerajui global dalam peranti RF berdasarkan bahan dua dimensi, meletakkan asas perkakasan yang kukuh untuk 6G, komunikasi terahertz, radar mewah dan sambungan satelit-tanah.
2. Cip GaN RF Berasaskan Silikon untuk Terminal Pengguna
Pemaju: Institut Penyelidikan CETC 55 / Guobo Electronics
Data Utama: Lebih 5 juta cip dihantar secara keseluruhan; produk galium nitrida berasaskan silikon pertama di dunia yang disesuaikan untuk terminal pintar pengguna.
Kepentingan: Keserasian teknikal terminal voltan rendah telah diselesaikan. Cip secara beransur-ansur menggantikan komponen gallium arsenide tradisional dan merealisasikan kawalan bebas penuh ke atas bahagian hadapan RF untuk telefon mudah alih dan peranti pengguna lain, memecahkan monopoli yang dipegang oleh pengeluar luar negara. Ini sangat menyokong pengkomersilan berskala besar perkhidmatan satelit-terus-ke-telefon bimbit, ekonomi altitud rendah dan 5G-Lanjutan.
II. Sorotan daripada Pameran Antarabangsa - IMS 2026 (Boston, 7–12 Jun)
- Tema Teknologi Teras: Integrasi AI, kejuruteraan kuantum, 6G, gelombang milimeter, terahertz dan komunikasi satelit
- Produk & Penyelesaian Baharu daripada Pengeluar Utama
- Keysight: Penganalisis isyarat RF generasi baharu untuk meningkatkan kecekapan R&D dan ujian untuk sistem jalur lebar 5G dan 6G
- Qorvo: Modul pembentuk pancaran yang ditunjukkan, penguat kuasa gelombang milimeter dan penyelesaian RF IoT yang menyasarkan pasaran satelit dan komunikasi mudah alih
- Sonix: Penapis RF gelombang kecil 30 GHz milimeter yang dioptimumkan untuk senario komunikasi 5G-Lanjutan, 6G dan satelit
III. Trend Pembangunan Industri Keseluruhan
- Peningkatan Bahan: Bahan celah jalur lebar termasuk GaN dan graphene berasaskan silikon & berasaskan SiC digunakan secara meluas untuk menggantikan galium arsenide, mengimbangi frekuensi tinggi, kuasa tinggi dan kos rendah.
- Evolusi Jalur Frekuensi: Jalur frekuensi komunikasi terus beralih ke atas daripada 5G-Lanjutan kepada 6G dan terahertz, memacu peranti RF ke arah pengecilan dan kehilangan sisipan yang rendah.
- Penggantian Domestik: Teknologi RF berkembang daripada stesen pangkalan dan aplikasi ketenteraan kepada elektronik pengguna seperti telefon bimbit. Rantaian industri penuh termasuk penguat kuasa, penapis dan suis mempercepatkan pengeluaran bebas setempat.
- Penyepaduan Multi-teknologi: AI dan teknologi berkembar digital dibenamkan ke dalam reka bentuk RF, pembangunan EDA dan aliran kerja ujian, memendekkan kitaran R&D secara drastik dan mengurangkan kos pengeluaran.
IV. Kawasan Tumpuan Susulan
- Kemajuan pengkomersialan dan penembusan pasaran transistor frekuensi tinggi novel domestik dan cip GaN berasaskan silikon
- Jadual lelaran dan pengeluaran besar-besaran komponen RF yang menyokong rantaian industri 5G-Lanjutan dan 6G
- Turun naik dalam permintaan pasaran untuk produk RF gelombang milimeter dan komunikasi satelit