I. Avances en tecnología central nacional y producción en masa
1. Transistor de silicio-grafeno-germanio (dispositivo central para terahercios y 6G)
Desarrollador: Instituto de Investigación de Metales, Academia de Ciencias de China
Especificaciones clave: La frecuencia de corte medida alcanza los 132 GHz con una ganancia de corriente de 1,8×10⁷; Teóricamente capaz de cubrir la banda de terahercios de 1 THz, ocupando el primer lugar a nivel mundial entre dispositivos similares.
Importancia: China toma el liderazgo mundial en dispositivos de RF basados en materiales bidimensionales, sentando bases sólidas de hardware para 6G, comunicaciones de terahercios, radares de alta gama y conectividad terrestre satelital.
2. Chips RF GaN basados en silicio para terminales de consumo
Desarrollador: Instituto de Investigación CETC 55 / Guobo Electronics
Datos clave: Más de 5 millones de chips entregados en total; el primer producto del mundo de nitruro de galio a base de silicio diseñado para terminales inteligentes de consumo.
Importancia: Se han solucionado los obstáculos técnicos en la compatibilidad de terminales de baja tensión. Los chips reemplazan gradualmente los componentes tradicionales de arseniuro de galio y logran un control total e independiente de las interfaces de RF para teléfonos móviles y otros dispositivos de consumo, rompiendo los monopolios mantenidos por fabricantes extranjeros. Esto respalda firmemente la comercialización a gran escala de servicios de satélite directo a telefonía móvil, economía de baja altitud y 5G-Advanced.
II. Aspectos destacados de la exposición internacional: IMS 2026 (Boston, 7 al 12 de junio)
- Temas tecnológicos centrales: integración de IA, ingeniería cuántica, 6G, ondas milimétricas, terahercios y comunicaciones por satélite
- Nuevos productos y soluciones de fabricantes clave
- Keysight: analizadores de señales RF de nueva generación para impulsar la I+D y la eficiencia de las pruebas para sistemas de banda ancha 5G y 6G
- Qorvo: Demostración de módulos de formación de haces, amplificadores de potencia de ondas milimétricas y soluciones de RF de IoT dirigidas a los mercados de comunicaciones móviles y por satélite
- Sonix: filtros RF miniaturizados de onda milimétrica de 30 GHz optimizados para escenarios de comunicación 5G-Advanced, 6G y por satélite
III. Tendencias generales de desarrollo de la industria
- Actualización de materiales: Los materiales de banda prohibida amplia, incluidos GaN y grafeno a base de silicio y SiC, se adoptan ampliamente para reemplazar el arseniuro de galio, equilibrando alta frecuencia, alta potencia y bajo costo.
- Evolución de la banda de frecuencia: las bandas de frecuencia de comunicación siguen aumentando de 5G-Advanced a 6G y terahercios, lo que lleva a los dispositivos de RF hacia la miniaturización y la baja pérdida de inserción.
- Sustitución nacional: las tecnologías de RF se expanden desde estaciones base y aplicaciones militares hasta productos electrónicos de consumo como los teléfonos móviles. Cadenas industriales completas que incluyen amplificadores de potencia, filtros e interruptores aceleran la producción independiente localizada.
- Integración de múltiples tecnologías: las tecnologías de inteligencia artificial y gemelos digitales están integradas en el diseño de RF, el desarrollo de EDA y los flujos de trabajo de prueba, lo que acorta drásticamente los ciclos de investigación y desarrollo y reduce los costos de producción.
IV. Áreas de enfoque de seguimiento
- Progreso de la comercialización y penetración en el mercado de nuevos transistores de alta frecuencia y chips GaN basados en silicio en el país
- Programa de iteración y producción en masa de componentes de RF que respaldan las cadenas industriales 5G-Advanced y 6G
- Fluctuaciones en la demanda del mercado de productos RF de comunicaciones por satélite y ondas milimétricas