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Junio ​​de 2026 Resumen de noticias de la industria de RF IMS 2026: el principal evento de RF y microondas del año El Simposio Internacional de Microondas IEEE (IMS 2026), la reunión más grande del mundo para profesionales de RF y microondas, se llevó a cabo del 7 al 12 de junio en el Centro de Exposiciones y Convenciones de Boston. El evento recibió a más de 8.400 asistentes de 55 países. El programa de este año reflejó cómo la IA, la computación cuántica y 6G se están integrando en la práctica de la ingeniería de RF y microondas, con sesiones plenarias en las que participaron el ganador del Premio Nobel de 2025, John Martinis, y el profesor del MIT, William Oliver. El simposio también incluyó el Simposio RFIC (del 7 al 9 de junio) y la Conferencia ARFTG. Lanzamientos de productos clave y anuncios de tecnología Altera presenta el FPGA SoC Agilex 9 Direct RF-Series de próxima generación En IMS 2026, Altera anunció la disponibilidad de muestras de ingeniería de sus FPGA SoC Agilex 9 Direct RF-Series, que ofrecen un aumento del 40 % en la capacidad informática por milímetro cuadrado. El dispositivo presenta un 45 % más de densidad lógica y DSP, RF de banda ancha integrada de 64 Gsps y soporte para memoria DDR5/LPDDR5. La producción de silicio y kits de desarrollo está prevista para el tercer trimestre de 2026. GlobalFoundries califica el embalaje avanzado SLATE™ en la plataforma 9SW El 23 de junio, GlobalFoundries anunció la preparación para la producción de su tecnología de unión de oblea a oblea SLATE™ en la plataforma 9SW RF-SOI. La tecnología puede reducir el tamaño del troquel hasta en un 45%, apuntando a módulos frontales (FEM) compactos 5G que abarcan rangos de frecuencia sub-8GHz y FR3. Se espera una producción en volumen en la segunda mitad de 2027. Qorvo presenta la cartera de conmutadores SOI RF para defensa y aeroespacial Qorvo presentó tres conmutadores de RF basados ​​en SOI (QPC2320, QPC2420, QPC2180) y dos atenuadores de pasos digitales de 6 bits (QPC5330, QPC5430) el 3 de junio. Los productos eliminan la necesidad de circuitos de control de voltaje negativo, simplificando las arquitecturas de sistemas para radar, comunicaciones seguras y aplicaciones SATCOM. El soporte de frecuencia varía hasta 30 GHz. pSemi amplía la cartera UltraCMOS+™ con conmutadores RF de alto aislamiento pSemi anunció los conmutadores RF PE42544 SP4T y PE42429 SPDT el 4 de junio, que funcionan de 9 kHz a 8,5 GHz con un aislamiento de hasta 46 dB. Ambos dispositivos ofrecen una linealidad líder en la industria (hasta 65 dBm IIP3) y ya están disponibles para muestreo. Analog Devices presenta avances en transceptores y formación de haces En IMS 2026, Analog Devices presentó innovaciones que incluyen una unidad de radio ORAN de RF a Ethernet de un solo chip (CMOS FinFET de 16 nm, 4TX/4RX, ancho de banda de 660 MHz) y un transmisor SIP de banda E SiGe que ofrece una potencia de salida de >32 dBm de 71 a 86 GHz. Finwave Semiconductor presenta interruptores RF de GaN sobre silicio de alta potencia Finwave presentó ocho nuevos conmutadores de RF de alta potencia en IMS 2026, que ofrecen alta potencia, alta frecuencia, conmutación rápida y rendimiento de banda ancha. IVWorks establece récord GaN HEMT con 742GHz fmax Los investigadores fabricaron un transistor GaN con una longitud de puerta de 45 nm y lograron un fmax récord de 742 GHz, estableciendo un nuevo punto de referencia para el rendimiento de RF. Altum RF presenta MMIC de GaAs y GaN en IMS 2026 Altum RF destacó su cartera de más de 40 MMIC de GaA y GaN que cubren frecuencias desde la banda X hasta más de 100 GHz, dirigidas a aplicaciones SATCOM, telecomunicaciones, radar y prueba y medición. Soluciones de RF para el sector aeroespacial y de defensa El sector aeroespacial y de defensa en IMS 2026 presentó numerosas soluciones de RF de misión crítica, incluidos SiP convertidores de frecuencia mmWave de doble canal (18–40 GHz) de Spectrum Control, bancos de filtros conmutados de 4 canales (18–40 GHz) de Nuvotronics, pares compactos de conversión de RF coherentes en fase de Mercury Systems y ágiles sintetizadores de frecuencia (1,25–20 GHz) de Luff Research. Prueba y medición Los actores clave de prueba y medición exhibidos en IMS 2026 incluyeron a Anritsu con su Tensor VNA, Keysight Technologies con diseño de RF y tecnologías de validación 6G, Maury Microwave con soluciones avanzadas de carga y tracción y Rohde & Schwarz. 5G/6G e infraestructura inalámbrica La tecnología 9SW SLATE de GlobalFoundries admite dispositivos 5G y comunicaciones por satélite de próxima generación. KDDI lanzó una iniciativa RAN Digital Twin para la era 6G el 23 de junio, mientras que e& UAE anunció la primera red comercial U6GHz del mundo, sentando las bases para la era 6G. Inteligencia de Mercado Se prevé que el mercado de dispositivos de defensa de RF alcance los 3.000 millones de dólares en 2031, impulsado por las amenazas de los drones y las actualizaciones de los radares. Fuentes todo RF – Cobertura de IMS 2026 y noticias de la industria Microwave Journal: programa técnico y cobertura de expositores de IMS2026 GlobalFoundries – Anuncio de embalaje SLATE™ Qorvo: cartera de conmutadores SOI RF pSemi: ampliación de la cartera de conmutadores UltraCMOS+™ Altera – Anuncio de la serie Agilex 9 Direct RF Dispositivos analógicos – Presentaciones técnicas de IMS 2026 Semiconductor compuesto: registro GaN HEMT Finwave Semiconductor: cartera de conmutadores RF GaN-on-Si

I. Avances en tecnología central nacional y producción en masa 1. Transistor de silicio-grafeno-germanio (dispositivo central para terahercios y 6G) Desarrollador: Instituto de Investigación de Metales, Academia de Ciencias de China Especificaciones clave: La frecuencia de corte medida alcanza los 132 GHz con una ganancia de corriente de 1,8×10⁷; Teóricamente capaz de cubrir la banda de terahercios de 1 THz, ocupando el primer lugar a nivel mundial entre dispositivos similares. Importancia: China toma el liderazgo mundial en dispositivos de RF basados ​​en materiales bidimensionales, sentando bases sólidas de hardware para 6G, comunicaciones de terahercios, radares de alta gama y conectividad terrestre satelital. 2. Chips RF GaN basados ​​en silicio para terminales de consumo Desarrollador: Instituto de Investigación CETC 55 / Guobo Electronics Datos clave: Más de 5 millones de chips entregados en total; el primer producto del mundo de nitruro de galio a base de silicio diseñado para terminales inteligentes de consumo. Importancia: Se han solucionado los obstáculos técnicos en la compatibilidad de terminales de baja tensión. Los chips reemplazan gradualmente los componentes tradicionales de arseniuro de galio y logran un control total e independiente de las interfaces de RF para teléfonos móviles y otros dispositivos de consumo, rompiendo los monopolios mantenidos por fabricantes extranjeros. Esto respalda firmemente la comercialización a gran escala de servicios de satélite directo a telefonía móvil, economía de baja altitud y 5G-Advanced. II. Aspectos destacados de la exposición internacional: IMS 2026 (Boston, 7 al 12 de junio) Temas tecnológicos centrales: integración de IA, ingeniería cuántica, 6G, ondas milimétricas, terahercios y comunicaciones por satélite Nuevos productos y soluciones de fabricantes clave Keysight: analizadores de señales RF de nueva generación para impulsar la I+D y la eficiencia de las pruebas para sistemas de banda ancha 5G y 6G Qorvo: Demostración de módulos de formación de haces, amplificadores de potencia de ondas milimétricas y soluciones de RF de IoT dirigidas a los mercados de comunicaciones móviles y por satélite Sonix: filtros RF miniaturizados de onda milimétrica de 30 GHz optimizados para escenarios de comunicación 5G-Advanced, 6G y por satélite III. Tendencias generales de desarrollo de la industria Actualización de materiales: Los materiales de banda prohibida amplia, incluidos GaN y grafeno a base de silicio y SiC, se adoptan ampliamente para reemplazar el arseniuro de galio, equilibrando alta frecuencia, alta potencia y bajo costo. Evolución de la banda de frecuencia: las bandas de frecuencia de comunicación siguen aumentando de 5G-Advanced a 6G y terahercios, lo que lleva a los dispositivos de RF hacia la miniaturización y la baja pérdida de inserción. Sustitución nacional: las tecnologías de RF se expanden desde estaciones base y aplicaciones militares hasta productos electrónicos de consumo como los teléfonos móviles. Cadenas industriales completas que incluyen amplificadores de potencia, filtros e interruptores aceleran la producción independiente localizada. Integración de múltiples tecnologías: las tecnologías de inteligencia artificial y gemelos digitales están integradas en el diseño de RF, el desarrollo de EDA y los flujos de trabajo de prueba, lo que acorta drásticamente los ciclos de investigación y desarrollo y reduce los costos de producción. IV. Áreas de enfoque de seguimiento Progreso de la comercialización y penetración en el mercado de nuevos transistores de alta frecuencia y chips GaN basados ​​en silicio en el país Programa de iteración y producción en masa de componentes de RF que respaldan las cadenas industriales 5G-Advanced y 6G Fluctuaciones en la demanda del mercado de productos RF de comunicaciones por satélite y ondas milimétricas

Foshan Faladi Electronic Co., Ltd. se estableció en 1992. Basándose en excelentes capacidades de innovación tecnológica, un equipo profesional de I+D y una inversión continua en tecnologías avanzadas, se ha convertido en una empresa líder en la industria de módulos y componentes electrónicos de alta gama. Como empresa de alta tecnología reconocida por el estado, Faradi siempre ha tomado los avances tecnológicos como su principal fuerza impulsora, puliendo constantemente su fortaleza técnica para brindar a los clientes globales soluciones electrónicas confiables y de alto rendimiento. Faradi ha creado un sistema de I+D sofisticado y eficiente, que incluye seis divisiones profesionales de I+D que cubren el diseño de circuitos electrónicos, el desarrollo de módulos de alta frecuencia, la tecnología de control y medición de precisión, la integración de sistemas y la optimización del rendimiento del producto. El equipo de I+D está compuesto por más de 200 ingenieros altamente formados y experimentados, entre los cuales un gran número tiene una larga experiencia en el campo de la investigación y el desarrollo de equipos electrónicos de alta gama, con profundos conocimientos sobre las tendencias tecnológicas de la industria y las necesidades de las aplicaciones de los clientes. Para respaldar la innovación tecnológica, Faradi ha invertido mucho en equipos de investigación y desarrollo e instalaciones de prueba, con varios equipos avanzados de producción, inspección y prueba valorados en más de 100 millones de yuanes. El centro de I+D está equipado con software de simulación líder a nivel internacional, instrumentos de prueba de precisión y una plataforma completa de verificación de productos, que puede realizar todo el proceso de investigación y desarrollo de productos, pruebas de simulación, verificación del rendimiento y detección de confiabilidad. Este sólido soporte de hardware garantiza que cada proyecto de I+D pueda llevarse a cabo de manera eficiente y precisa, y que cada producto pueda cumplir con los altos estándares de estabilidad, precisión y confiabilidad requeridos por el mercado global de alta gama. En términos de tecnología central, Faradi ha obtenido ventajas técnicas únicas en la I+D y la producción de componentes y módulos de soporte para equipos satelitales, de medición y control, de radar, de navegación, de radio y aeroespaciales. Nuestro equipo de I+D ha logrado avances importantes en tecnologías clave como el procesamiento de señales de alta frecuencia, la integración de módulos de precisión y el diseño de adaptabilidad ambiental, que no solo mejoran el rendimiento y la estabilidad de los productos, sino que también reducen el costo general de los productos, brindando a los clientes globales soluciones más competitivas. Siguiendo el concepto de “impulsado por la innovación y liderado por la tecnología”, Faradi siempre ha mantenido una estrecha cooperación con instituciones internacionales de tecnología avanzada y socios industriales, absorbiendo activamente conceptos técnicos avanzados y experiencia en I+D, y promoviendo continuamente la actualización e iteración de productos y tecnologías. Nuestra fortaleza técnica ha sido ampliamente reconocida por la industria y los clientes globales, y hemos brindado con éxito soluciones técnicas personalizadas para muchos clientes internacionales, ayudándolos a mejorar el rendimiento y la competitividad de sus productos. Como empresa de alta tecnología centrada en el mercado global, Foshan Faradi Electronics seguirá aumentando la inversión en I+D, optimizando el equipo de I+D y profundizando la innovación tecnológica. Adoptaremos tecnología más avanzada, productos más confiables y servicios técnicos más profesionales para crear mayor valor para los clientes globales y mantener nuestra posición de liderazgo en la industria de componentes electrónicos de alta gama.

Foshan Faradi Electronics se adhiere a una visión global y una filosofía centrada en el cliente. Estamos comprometidos a unir la tecnología avanzada de fabricación electrónica china con la demanda del mercado global, proporcionando productos de alta calidad y servicios técnicos profesionales para clientes de todo el mundo. Entendemos que los clientes globales requieren no sólo productos de alto rendimiento sino también entregas estables, comunicación clara y soporte posventa confiable. Por lo tanto, hemos establecido un equipo comercial internacional profesional y un sistema de servicio localizado, asegurando una respuesta eficiente, una comunicación técnica precisa y un seguimiento oportuno de los pedidos. Con el respaldo de un grupo sólido, un equipo profesional de investigación y desarrollo, una capacidad de fabricación avanzada y un estricto control de calidad, Faradi Electronics tiene la confianza para convertirse en su socio preferido para componentes y módulos electrónicos de alta gama. Esperamos trabajar con clientes globales para crear mayor valor y lograr una cooperación beneficiosa para todos a largo plazo.

Foshan Faradi Electronics se centra en I+D, producción y servicios técnicos de componentes y módulos de soporte para equipos satelitales, de medición y control, radar, navegación, radio y aeroespaciales. Nuestra cartera de productos cubre una amplia gama de componentes electrónicos de alto rendimiento, módulos de síntesis de frecuencia, módulos receptores y unidades electrónicas personalizadas. Estos productos se aplican ampliamente en: Sistemas de comunicación y posicionamiento por satélite. Equipos electrónicos aeroespaciales. Sistemas de radar y navegación Dispositivos de comunicación inalámbrica y por radio Instrumentos de medida y control de precisión. Con una profunda acumulación técnica y una rica experiencia en proyectos, podemos ofrecer productos estándar y soluciones personalizadas de acuerdo con los requisitos del cliente. Todos los productos están diseñados y fabricados para cumplir con los estándares industriales internacionales y los requisitos de adaptabilidad ambiental, lo que garantiza un funcionamiento estable en condiciones de trabajo complejas.

Foshan Faraday Electronics cuenta con una base de fabricación y pruebas de primera clase, equipada con equipos de producción, pruebas e inspección por valor de más de 100 millones de RMB. Nuestras líneas de producción adoptan una gestión estandarizada, inteligente y modular, admitiendo tanto la producción en masa como pedidos personalizados de lotes pequeños. Implementamos un control de calidad de todo el proceso, desde la inspección del material entrante, el monitoreo del proceso de producción hasta las pruebas del producto terminado y el seguimiento posventa. Los equipos de prueba avanzados cubren el rendimiento de alta frecuencia, la adaptabilidad ambiental, la confiabilidad eléctrica y la estabilidad mecánica, lo que garantiza que cada componente y módulo cumpla con estrictos estándares de calidad internacionales. Nuestras capacidades de fabricación y gestión de calidad se encuentran entre las mejores de la industria nacional, lo que nos permite ofrecer a los clientes globales una entrega estable, una calidad constante y un rendimiento de costos competitivo en el sector de componentes electrónicos de alta gama.

En Foshan Faradi Electronics, la innovación tecnológica es la base de nuestro desarrollo sostenible. Con más de 30 años de experiencia, hemos creado un sólido sistema de I+D. Contamos con seis departamentos de I+D dedicados y un equipo técnico profesional de más de 200 ingenieros altamente capacitados, que cubren el diseño de circuitos electrónicos, el desarrollo de módulos, la optimización del rendimiento y los servicios técnicos. Nuestro personal de I+D tiene una amplia experiencia en circuitos de alta frecuencia, módulos de precisión e integración de sistemas electrónicos complejos. Trabajan en estrecha colaboración con clientes internacionales para comprender escenarios de aplicaciones, resolver desafíos técnicos y personalizar soluciones confiables. Equipado con software de simulación avanzado, instrumentos de prueba de precisión y una plataforma de verificación completa, nuestro centro de I+D garantiza que cada producto cumpla con requisitos de alta estabilidad, alta precisión y alta confiabilidad. Desde el desarrollo de prototipos hasta la producción en masa, seguimos estrictamente los estándares internacionales y las especificaciones de la industria, brindando una calidad constante para clientes globales.

Foshan Faradi Electronics Co., Ltd. es una empresa de alta tecnología reconocida por el estado, fundada en 1992 y con sede en Shunde, Foshan, un centro de fabricación central en la provincia de Guangdong. Con un capital registrado de 100 millones de RMB, la empresa ha acumulado más de tres décadas de profunda experiencia en la investigación, el desarrollo, la producción y el soporte técnico de sistemas electrónicos avanzados. Especializada en componentes y módulos de alta confiabilidad para equipos satelitales, de medición y control, radar, navegación, radio y aeroespaciales, Faradi mantiene rigurosos estándares de calidad y una gestión de fabricación madura en toda su cadena de valor. Nuestro sólido ADN de I+D, combinado con capacidades de producción integradas verticalmente, nos permite ofrecer un rendimiento constante en entornos de misión crítica. Guiada por la filosofía de “La tecnología primero, la calidad central, orientada al cliente”, Faradi Electronics se compromete a servir a clientes globales como un socio confiable, estable y a largo plazo en la cadena de suministro de electrónica de alta gama, brindando no solo productos, sino también confiabilidad de ingeniería desde el diseño hasta la entrega.

La "interferencia de señal" generalmente se refiere al uso de medios técnicos para bloquear o atenuar la propagación de señales de radio dentro de un entorno específico. Se encuentra comúnmente en contextos que involucran seguridad, telecomunicaciones, operaciones militares o protección de la privacidad. A continuación se proporciona una explicación detallada de la interferencia de señal: --- ### I. Principios de interferencia de señales La interferencia de señales funciona transmitiendo señales de interferencia que coinciden, o se aproximan mucho, a la frecuencia de la señal objetivo, o utilizando materiales de protección metálicos para absorber o reflejar ondas electromagnéticas, interrumpiendo así la transmisión de señales inalámbricas. Los métodos comunes incluyen: 1. **Blindaje electromagnético:** Cerrar un equipo o un espacio físico (como una jaula de Faraday) utilizando materiales como malla metálica o revestimientos conductores. 2. **Interferencia activa:** Transmitir fuertes señales de "ruido" a través de un bloqueador de señal (por ejemplo, un bloqueador de señal de teléfono móvil) para dominar y cubrir la banda de frecuencia objetivo. 3. **Aislamiento físico:** Colocar el equipo dentro de un espacio cerrado sin cobertura de señal (por ejemplo, un sótano o una habitación blindada dedicada). --- ###II. Escenarios de aplicación 1. **Seguridad y Confidencialidad** - Las agencias gubernamentales y las bases militares lo utilizan para evitar escuchas o fugas de datos. - Los lugares de conferencias (como salas de audiencias o salas de negociación) lo utilizan para garantizar que los dispositivos de comunicación no sean monitoreados. 2. **Administración del examen** - Los lugares de examen bloquean las señales de los teléfonos móviles para evitar trampas. 3. **Entornos médicos** - Los quirófanos de los hospitales bloquean las señales para evitar interferencias con los equipos médicos electrónicos. 4. **Protección de Instalaciones Especiales** - Las plantas petroquímicas y gasolineras prohíben las señales inalámbricas para evitar el riesgo de explosiones. 5. **Protección de la privacidad personal** - Las personas pueden usar bolsas protectoras de señales (por ejemplo, mochilas anti-rastreo) para bloquear la ubicación GPS y las señales de rastreo. --- ###III. Consideraciones legales y éticas - **Reglamentos chinos:** De acuerdo con los *Reglamentos de la República Popular China sobre administración de radio*, la interferencia no autorizada de la señal es una violación de la ley y puede dar lugar a multas o responsabilidad penal. - **Excepciones:** Ciertas entidades pueden implementar legalmente equipos de interferencia de señales en áreas específicas (como lugares de exámenes o instalaciones clasificadas) luego de la aprobación oficial. - **Riesgos de uso indebido:** La interferencia no autorizada de señales públicas (como las señales de estaciones base celulares) puede interrumpir los servicios de emergencia y las telecomunicaciones en general; por lo tanto, tales acciones deben abordarse con extrema precaución. --- ###IV. Ejemplos de implementación técnica | Método | Principio | Equipo típico | |---------------|--------------------------|------------------------| | Jaula de Faraday | La malla metálica conductora protege las ondas electromagnéticas | Habitaciones blindadas, recintos blindados | | Bloqueador | Transmite señales de ruido cofrecuencia | Bloqueadores de señal de telefonía móvil | | Materiales de blindaje | Absorber/reflejar ondas electromagnéticas | Papel de aluminio, tejidos conductores | --- ### V. Consideraciones importantes 1. **Legalidad:** Asegúrese de que el escenario de uso cumpla con las leyes y regulaciones locales. 2. **Seguridad:** Evite situaciones en las que el blindaje impida que se conecten las llamadas de emergencia (por ejemplo, en hospitales o estaciones de bomberos). 3. **Blindaje selectivo:** Priorice el blindaje direccional (por ejemplo, apuntando solo a señales de teléfonos móviles) en lugar de interferencias de espectro completo.